О как.
Внушаить
| Версия для печати Оригинальная версия тут |
| Дневники: IC-Oddish -> Someone and V's In My Head |
| 30 мая 2005 |
| 23:09 вкуриваю |
| На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси. |
| Комментарии [3] |
| Написал Льдинка - 01:41 31 мая 2005 |
| О как. Внушаить |
| Написал Эпикур - 06:01 31 мая 2005 |
| Вот, кстати, и объясни теперь, почему тунельные диоды такие шустрые, да ещё с такой забавной характеристикой. |
| Написал IC-Oddish - 23:45 31 мая 2005 |
| Потому что переходите на нитрид галлия. Нитрид галлия элементарная база будущего. |
| mJournal © 2003-2008 by UriSoft |