| 30 мая 2005 |
| 23:09 - вкуриваю
|
На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси.
|
|
|
|
« Предыдущая запись |
Вернуться к записям |
Следующая запись »
|
|
| Комментарии |
| Льдинка |
31 мая 2005 01:41
|
Приключенец
|
О как.
Внушаить 
|
|
|
| Эпикур |
31 мая 2005 06:01
|
Приключенец
|
Вот, кстати, и объясни теперь, почему тунельные диоды такие шустрые, да ещё с такой забавной характеристикой.
|
|
|
| IC-Oddish |
31 мая 2005 23:45
|
Приключенец
|
Потому что переходите на нитрид галлия. Нитрид галлия элементарная база будущего.
|
|
|
|
|
|
|
июнь |
| пн |
вт |
ср |
чт |
пт |
сб |
вс |
| | | | | | | 1 | | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | | 30 | | | | | | |
|
